Зависимость отношения оже-пиков от толщины слоя.
Рассчеты сделаны для модели послойного роста.
Длина свободного пробега электронов для данной энергии берется по модели
S.Tanuma, C.J.Powell, D.R.Penn Surf.Sci.,v.192,p.849,(1987) .
Фактор обратного рассеяния берется по модели
T.Sekine, Y.Nagasawa, M.Kudoch Handbook of AES, JEOL., 1982, v.223
Al/Si(100)
Al/Si(110)
Al/Si(111)
In/Si(100)
In/Si(111)
Длина свободного пробега электронов для данной энергии берется по модели
S.Tanuma, C.J.Powell, D.R.Penn Surf.Sci.,v.192,p.849,(1987) .
Фактор обратного рассеяния берется по модели
T.Sekine, Y.Nagasawa, M.Kudoch Handbook of AES, JEOL., 1982, v.223
Al/Si(100)
Al/Si(110)
Al/Si(111)
In/Si(100)
In/Si(111)