Основные свойства кремния.
Элемент - Si - silicon. Номер в таблице - 14.
Атомный вес - 28.085
Плотность Si 2.4 g/cm3
Si(111) число атомов в монослое ns= 7,83x 1014 cm -2; толщина монослоя dml=1,52(Å)
Si(100) число атомов в монослое ns=6,78x 1014 cm -2; толщина монослоя dml=1,31(Å)
Si(110) число атомов в монослое ns=9,59x 1014 cm -2; толщина монослоя dml=1,92(Å)
Объемное число атомов ns=5,16x1022 cm -3;
Параметры
| Data | Title | Description |
|---|---|---|
| 1414,85 °C (1688 K) | Температура плавления | |
| 2349,85 °C (2623 K) | Температура кипения | н.у. |
| +4, +2, 0, −4 | Степени окисления | |
| [Ne] 3s2 3p2; в соед. [Ne] 3s 3p3 (гибридизация) | Электронная конфигурация | . |
Oбщие данные.
Для технологов чаще всего необходимы такие элементарные параметры, как температура плавления вещества, парциальное давление паров элементов при определенной температуре и фазовые диаграммы.
Все эти параметры сведены в несколько таблиц.
В разделе Точка плавления / кипения температура приведена в градусах Цельсия.
Давление паров для чистых элементов приведена в торрах (1 торр наименование внесистемной единицы давления, равной 1/760 атм.; то же, что 1 мм ртутного столба. Назван в честь Э. Торричелли)
В разделе Фазовая диаграмма
данные приведены по:
1. Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V.
Surface Phases on Silicon
John Wiley & Sons, Chichester, (1994) Vo. No. Pt. p. 448 - структуры,
известные до 1994 года;
2. Oura K., Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V., Katayama M.
Surface Science. An Introduction. Berlin, Heidelberg:
Springer-Verlag, 2003 No 0 Pt. 0
p. 440 - обновленные данные;